SanDisk a confirmé l’échantillonnage de sa NAND 3D BiCS10, une puce 1 Tb TLC à 332 couches, co-développée avec Kioxia. La densité dépasse 29 Gb/mm, avec des débits jusqu’à 4,8 Gb/s, et une baisse de consommation annoncée face à BiCS8. Cette étape s’inscrit dans une feuille de route visant des SSD 256 To en 2026 et 512 To en 2027, à des tarifs qui devraient rester réservés aux datacenters.
La promesse est spectaculaire sur le papier, mais elle repose sur une réalité industrielle, le passage à l’échelle, la maîtrise des rendements et le coût au téraoctet, qui feront la différence entre démonstration technologique et produit déployé.
SanDisk et Kioxia valident BiCS10 à 332 couches
SanDisk officialise une étape attendue dans la course à la densité, l’échantillonnage de sa BiCS10, dixième génération de NAND 3D développée en partenariat avec Kioxia. Sur ce marché, l’échantillonnage signifie que les premiers lots de puces sortent des lignes pour être évalués par des clients, intégrateurs et fabricants de SSD, avec des tests portant sur les performances, la fiabilité, la compatibilité contrôleur et le comportement thermique. Ce n’est pas encore la production de masse, mais c’est un jalon qui conditionne la suite du calendrier.
La puce annoncée est un die 1 Tb TLC reposant sur 332 couches. SanDisk met l’accent sur une densité surfacique supérieure à 29 Gb par millimètre carré, un indicateur clé car il relie directement la capacité obtenue à la surface de silicium utilisée. Dans un secteur où le coût dépend fortement de la surface gravée, gagner en densité revient à produire davantage de gigabits pour une même quantité de wafer, à condition que les rendements suivent.
Le groupe revendique une amélioration de 59% de la densité par rapport à la génération BiCS8, présentée comme celle actuellement en production de masse. Pour les acheteurs professionnels, cet écart n’est pas qu’un chiffre marketing, il annonce potentiellement une baisse du coût par bit, donc une fenêtre pour lancer des SSD de capacité extrême sans faire exploser l’encombrement, le nombre de boîtiers, ou les besoins en emplacements PCIe.
Ce partenariat SanDisk-Kioxia s’inscrit dans une logique industrielle de long terme. Les deux acteurs partagent des investissements lourds sur la R& D, l’outillage et les procédés 3D NAND, où chaque nouvelle génération impose des défis de gravure, d’empilement, d’uniformité et de contrôle qualité. Le rythme des générations est aussi dicté par la capacité des usines à absorber ces transitions sans dégrader les volumes livrables.
Pour les entreprises, l’enjeu se situe déjà au niveau des usages, consolidation de stockage, densification des racks, réduction du nombre de serveurs de stockage nécessaires pour une même capacité utile, et simplification de la gestion des pools NVMe. BiCS10 se positionne comme un socle technologique, plus que comme un produit final, dont l’intérêt dépendra des SSD et plateformes qui l’exploiteront.
Toggle DDR6.0 à 4,8 Gb/s et gains énergétiques annoncés
Au-delà de la densité, SanDisk met en avant l’interface Toggle DDR6.0 et un débit de 4,8 Gb/s, soit une progression annoncée de 33% face à la génération précédente. Ces chiffres concernent le lien entre la NAND et le contrôleur, pas directement le débit final observé par l’utilisateur sur une carte PCIe. Mais dans les SSD modernes, l’interface NAND devient un facteur limitant quand les contrôleurs multiplient les canaux et que les bus hôtes montent en génération.
SanDisk évoque aussi une architecture de type CMOS directly bonded to array, qui vise à améliorer l’intégration entre la logique CMOS et la matrice mémoire. Dans les NAND 3D, la manière dont on relie la logique et l’empilement influe sur la latence, la consommation et la capacité à monter en fréquence. Les gains annoncés sur la consommation, -10% sur l’input power et -34% sur l’output power, sont à lire comme des indicateurs orientés datacenter, là où chaque watt compte sur des baies denses.
Dans le même registre, l’entreprise mentionne une réduction de l’énergie de lecture de 29% par rapport à des conceptions antérieures. Pour un exploitant, cela peut se traduire par une marge thermique plus confortable, des besoins de refroidissement moins élevés à capacité équivalente, ou la possibilité de densifier davantage sans dépasser des enveloppes de puissance par serveur. Le bénéfice exact dépendra du SSD final, du firmware, du contrôleur et des profils d’accès.
Ces progrès arrivent dans un contexte où le stockage flash doit concilier densité et contraintes de fiabilité. Plus les puces empilent de couches, plus la complexité de fabrication augmente, avec des risques sur l’uniformité des cellules, la variabilité, et la tenue dans le temps. Les annonces de performance et d’efficacité devront être confirmées par des produits en production, des qualifications et des statistiques de terrain, notamment sur les charges de travail intensives.
Pour le marché, la question n’est pas seulement d’atteindre des chiffres record, mais de maintenir un compromis acceptable entre performances, endurance, coût et disponibilité. Sur des SSD de capacité extrême, les arbitrages sont souvent plus sévères, car la densité se paie en complexité, et la complexité se paie en coût et en temps de validation.
Feuille de route: SSD 256 To en 2026, 512 To en 2027
SanDisk relie explicitement BiCS10 à une feuille de route produit, avec un SSD 256 To visé pour 2026 et un SSD 512 To pour 2027. Ces jalons donnent une indication de la confiance de l’entreprise dans sa capacité à faire évoluer les empilements et à industrialiser des produits exploitables dans des environnements professionnels. Le calendrier laisse aussi entendre que les premières implémentations viseront le datacenter, plutôt que le grand public.
La société évoque également un objectif de 1 Po pour un futur SSD dédié aux centres de données, sans date précise. Cet horizon sert à montrer que la stratégie ne s’arrête pas à 512 To, mais il souligne aussi l’ampleur des défis. À ces niveaux de capacité, l’intégration devient un problème de plateforme, dissipation thermique, alimentation, tolérance aux pannes, et surtout de gestion des risques, car la perte d’un seul disque représente un volume considérable.
La montée en capacité ne repose pas uniquement sur plus de bits par cellule. Le discours de SanDisk insiste sur l’augmentation de densité par empilement de couches et amélioration du layout, plutôt que par une montée agressive vers des cellules à plus grand nombre de niveaux. Cette approche vise à limiter les dégradations typiques quand on augmente le nombre de bits par cellule, comme la baisse d’endurance et l’augmentation des besoins en correction d’erreurs.
Dans la pratique, les produits très capacitaires s’appuient souvent sur des stratégies de firmware, surprovisionnement, gestion thermique et nivellement d’usure très poussées. Les SSD de 256 To puis 512 To devront aussi être cohérents avec les formats physiques utilisés en datacenter, U.2, E3. S, cartes d’extension, et avec les contraintes de densité par serveur. Les fabricants devront arbitrer entre capacité brute, performances soutenues et stabilité des latences.
Ces annonces s’alignent aussi sur la tendance du marché, la consolidation des données chaudes tièdes, l’essor des plateformes d’IA qui ingèrent des volumes massifs, et la recherche d’alternatives à certains usages historiquement confiés aux disques durs. Mais la bascule dépendra du coût au téraoctet, de la disponibilité, et de la manière dont les opérateurs valorisent l’espace en rack, l’énergie et la simplification opérationnelle.
QLC, coût au téraoctet et prix attendu au-delà de 300 000 dollars
SanDisk indique que ces sauts de capacité dépendront d’une adoption accrue de la QLC, avec une orientation vers ce type de mémoire pour la plupart des produits capacité d’ici 2028. La QLC, quatre bits par cellule, permet d’augmenter la capacité à coût potentiellement plus bas, mais elle impose des compromis sur l’endurance et parfois sur les performances en écriture soutenue. Pour des usages datacenter orientés lecture, archivage actif ou data lakes, ces compromis peuvent être acceptables avec une architecture adaptée.
La question du prix est centrale, car un SSD 512 To ne sera pas un produit accessible. Le meilleur indicateur vient des références déjà disponibles. Le Solidigm D5-P5336 en 122,88 To est cité dans une fourchette d’environ 49 275 à 64 168 dollars selon les configurations et options. Même sans projeter parfaitement les économies d’échelle futures, un calcul au coût par téraoctet donne une idée de l’ordre de grandeur pour 512 To.
En extrapolant de manière linéaire, un 512 To se situerait nettement au-dessus de 300 000 dollars. Le prix réel dépendra de la génération PCIe, du format, du niveau d’endurance, du volume de production, des contrats OEM, et du positionnement face aux concurrents. Mais l’idée d’un SSD 512 To sous les 300 000 dollars paraît peu crédible à court terme si l’on s’appuie sur les prix de l’entreprise flash haute capacité actuelle.
Cette contrainte tarifaire explique aussi pourquoi ces produits visent d’abord les grands comptes, cloud providers, hyperscalers, et opérateurs capables d’optimiser le coût total de possession. Un SSD très cher peut rester rationnel s’il réduit le nombre de serveurs, d’emplacements, de câbles, de contrôleurs, ou s’il diminue la consommation globale et les coûts de maintenance. Le calcul se fait à l’échelle d’une baie, voire d’un site, pas à l’unité.
La concurrence reste intense. Samsung, Micron, Kioxia et Solidigm poursuivent des trajectoires similaires, avec des annonces autour de capacités extrêmes et de bus hôtes plus rapides, comme le PCIe 6.0 mentionné pour des projets autour de 2027. Dans ce contexte, BiCS10 est une pièce majeure, mais la bataille se jouera aussi sur les contrôleurs, la qualification client, la disponibilité et la capacité à livrer en volume.
Pour les acheteurs, les prochains mois serviront surtout à observer la vitesse de transition entre échantillonnage et production, les premières fiches techniques de SSD basés sur BiCS10, et les choix de segmentation entre TLC et QLC. Le rythme d’adoption dépendra enfin des besoins réels, stockage pour IA, bases de données analytiques, plateformes objet, et de la pression économique sur les datacenters.